Η νανοτεχνολογία και οι άνθρωποι της έχουν νέες ιδέες για τις μνήμες.

Εξετάζουν τη δημιουργία μιας νέας τεχνολογίας μνήμης – nonvolatile memory, που όχι μόνο θα είναι ταχύτερη από τις σημερινές flash RAM, αλλά θα απαιτεί και 99% λιγότερη ενέργεια.

Η τεχνολογία ονομάζεται ferroelectric transistor random access memory – FeTRAM – και αφορά ένα νέου τύπου τρανζίστορ με νανοκαλώδια από σιλικόνη και οργανικό πολυμερές ferroelectric polymer – P(VDF-TrFE). Υλικό που αλλάζει ανάλογα με την τάση

Την τεχνολογία αναπτύσσουν στο Πανεπιστήμιο του Purdue και το Birck Nanotechnology Center σε σύγγραμα του American Chemical Society Nano Letters.

Όπως λέει η ανακοίνωση του Κέντρου είναι ένα βήμα πέρα από την τεχνολογία nonvolatile FeRAM, αφού τα δεδομένα που διαβάζονται από μια FeTRAM δεν καταστρέφονται χάρη στο ferroelectric transistor.

Στόχος της έρευνας FeTRAM η δημιουργία ενός ‘δοχείο’ που θα μπορεί να έχει μεγάλη ζωή και να διαβάζει/γράφει μεγάλο όγκο δεδομένων: “You want to hold memory as long as possible, 10 to 20 years, and you should be able to read and write as many times as possible,” λέει ο ερευνητής κος Saptarshi Das/

Οι ερευνητές μιλούν για ένα προϊόν που έχει μέλλον μέχρι να βγει στην παραγωγή αλλά παρά το πρώϊμο των δοκιμών τα κυκλώματα
FeTRAM θα κατασκευάζονται με τις ίδιες τεχνικές όπως τα CMOS κυκλώματα.