Η Samsung ανακοίνωσε τη μαζική παραγωγή των 16Gb GDDR6 memory chip. Και είναι μια αλλαγή γενιάς αφού μιλάμε για διπλάσια ταχύτητα από τα GDDR5 memory chips. Με στόχο τις next-generation κάρτες γραφικών αλλά και τα αυτοκίνητα, τα δίκτυα, το AI, τα νέα Samsung 16Gb GDDR6 βασίζονται σε 10nm κατασκευή και δίνουν 18Gbps pin speed με data transfers των 72 GBps.
Τα 2GB (16Gb) chips λειτουργούν σε 1.35V που είναι 35% πιο κάτω σε σχέση με τα GDDR5 στα 1.55V. Η Samsung ισχυρίζεται πως τα 10nm-class 16Gb GDDR6 έχουν και 30% πιο αποτελεσματική παραγωγή από τα 20nm 8Gb GDDR5 chips.
Σε σχέση με τα 11Gbps/11.4Gbps GDDR5 chips σε κάρτες γραφικων Nvidia Titan Xp, τα νέα ολοκληρωμένα έχουν βελτίωση στο bandwidth και από τα 550 GB/s σε 384-bit memory interface πάμε στα 864 GB/s.
Η Samsung είπε πως με τη γκάμα που διαθέτει τα 18Gbps 16Gb GDDR6 και τα 2.4Gbps 8GB HBM2 chips θα “dramatically accelerate growth of premium memory market over the next several years”. Και θα είναι χρήσιμα και σε 8K Ultra HD processing εποχές…
